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分子束外延MBE是一种晶体生长技术,首先将待成长的芯片放置在超高真空腔体中（~10-10Torr）,和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中,当炉温升至一定温度时,炉中的材料会以原子束或分子束的形式蒸发出来,此时基板也被加热至一适当的温度,分子束射至基板时,就会与基板表面的原子结合而生长出极薄的,可薄至单原子层水平,单晶体和几种物质交替的超晶格结构.

描隧道显微镜STM是根据力学中的隧道效应原理,通过探测固体表面原子中电子的隧道电流来分辨固体表面形貌的新型显微装置.用客户案例:某大学自主搭建分子束外延与扫描隧道显微镜系统,经过爱发科推荐,采用分子泵和涡轮分子泵80并搭配美国HVA真空闸阀成功分析生长晶体表面结构。

涡轮分子泵抽速范围10至2700L/S,转速很高90,000rpm,极限真空很大1E-11mbar,对小分子气体具有更高的压缩比,实践证明涡轮分子泵运行时间可以达到100,000小时!分子泵提供复合轴承分子泵和五轴全磁浮分子泵二大系列满足不同应用,推荐搭配旋片泵和干泵共同使用.

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视频作者：广州潽拓光电科技有限公司

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涡轮分子泵应用于低温扫描隧道显微镜LT-STM涡轮分子泵应用于低温扫描隧道显微镜LTSTM

扫描隧道显微镜STM是根据力学中的隧道效应原理,通过探测固体表面原子中电子的隧道电流来分辨固体表面形貌的新型显微装置.低温扫描隧道显微镜LT-STM真空互联除了具有纳米分析能力外,它还可以在4到300K的温度范围内对原子和分子进行准确操作.

低温扫描隧道显微镜LT-STM具有很长的LHe保持时间,极低的漂移率和出色的稳定性dz

LT-STM系统需要在超高真空环境中进行研究,对真空度要求及其高,真空可到1E-10mbar,需要用前级泵,分子泵,离子泵,钛泵等组合使用来达到要求,同时分子泵需要低振动,低噪音,清洁无油确保超高真空的稳定性以保证晶体的生长和后期的探测分析.

某搭建LT-STM真空互联系统公司,采购5套涡轮分子泵用于给装置提供超高真空.主要技术参数如下:

抽速L/S

N2:260,H2:220,He:255,Ar:255

全转速时气体流量

mbarl/s

N2:14,H2:>14,He:20,Ar:7

压缩比

N2:>1X1011,H2:9X105

He:>1X108,Ar:>1X1011

声压水平

≤50dBA

很大功率消耗

300W

很大电流

12.5A

安装方向

任意方向

允许辐射的很大热功率

2.4W

很大允许磁场

5.5MT

转速±2%

60000min-1

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半导体产业链IC制造行业属于典型的技术密集型行业，产品技术含量非常高，同时对配套产业要求较高，其中就包括真空设备配套产业。真空设备（真空阀、真空泵、真空腔体及管道等）是半导体各工艺制程环节必备的通用设备，广泛应用于芯片生产制造过程。  半导体制造设备及工艺流程半导体器件的生产制造工艺极其复杂，需要在高纯度硅片上执行一系列精密的物理或者化学操作，例如掺入相应的其它元素、形成多种金属薄膜和绝缘膜、进行表面的刻蚀处理等。

这些复杂的生产制造工艺都需要在分子泵维持的高真空环境下进行，而且对真空系统和真空设备的洁净度也有着很高的要求。分子泵在半导体设备中的应用.在半导体生产制造工艺中，分子泵广泛应用于光刻机、薄膜沉积设备、刻蚀设备、离子注入机等关键设备。光刻机光刻机是生产大规模集成电路的设备，制造和维护需要高度的光学和电子工业基础，世界上只有少数厂家掌握，因此光刻机价格昂贵。

光刻机光刻过程必须在高真空环境中实现，原因是极紫外光很娇贵，在空气中容易损耗。同时，在光刻过程中，设备的动作时间误差以皮秒计，这对磁悬浮分子泵的振动值要求极高。（注：皮秒=兆分之一秒）薄膜沉积指在晶圆表面生成多种薄膜，这些薄膜可以是绝缘体、半导体或导体。它们由不同的材料组成，是使用多种工艺生长或沉积的。

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